
Tarranix desenvolupa la seva primera porta Toffoli d'ona guiada utilitzant interferència de feixos
Un pas significatiu cap als circuits lògics totalment òptics basats en la computació fotònica reversible.
Per Tarranix
Aspectes destacats
Barcelona, Spain – Tarranix, a groundbreaking deep-*tech startup, made a powerful debut at the 8è Fòrum d’Inversió CAT SUD, an esteemed investment fòrum fostering innovation and entrepreneurship in Catalonia. The event, held in Tarragona, serves as a vital platform for connecting visionary startups with strategic investors, driving the region’s technology landscape forward.
Tarranix és pionera en un enfocament revolucionari de la informàtica gràcies a la seva tecnologia de xips fotònics, que utilitza transistors òptics tridimensionals per a aconseguir velocitats de processament i una eficiència energètica sense precedents. A diferència dels xips tradicionals basats en semiconductors, que es basen en la lògica binària (0 i 1), el sistema fotònic de Tarranix pot processar sis estats lògics utilitzant la polarització de la llum. Aquesta innovació suposa un canvi de paradigma en la potència computacional, superant les limitacions dels xips electrònics actuals. En el fòrum, Tarranix va presentar el seu processador fotònic patentat, dissenyat per a revolucionar la intel·ligència artificial (IA), la informàtica d'alt rendiment i les telecomunicacions. En reduir el consum d'energia fins a un 95% en comparació amb els xips semiconductors tradicionals, el xip fotònic de Tarranix presenta una alternativa sostenible i escalable que s'ajusta a la visió de la Unió Europea per al desenvolupament d'una tecnologia ecològica i sobirana.
Organitzat anualment, el Fòrum d’Inversió CAT SUD exerceix un paper crucial en el foment de l'ecosistema regional de startups, reunint emprenedors, capitalistes de risc i inversors corporatius. El fòrum és una part fonamental de l'estratègia d'innovació industrial de Catalunya, dissenyada per a accelerar la transferència de tecnologia i atreure capital a projectes d'alt potencial. L'edició d'enguany ha estat especialment rellevant, ja que el Govern català continua impulsant la transformació digital i la sobirania tecnològica. Tarranix s'alinea perfectament amb aquests objectius, posicionant a la startup com un actor estratègic en el sector tecnològic d'última generació de la regió.
Després de la seva reeixida presentació en el fòrum, Tarranix s'està preparant ara per a la següent fase de desenvolupament, centrant-se en l'escalabilitat de la fabricació i les associacions comercials. Amb un full de ruta que inclou la creació de prototips industrials i la producció pilot, l'empresa busca activament inversors estratègics i socis fabricadors per a portar el seu xip fotònic al mercat. Paral·lelament, Tarranix manté converses amb institucions de recerca europees i consorcis de semiconductors per a continuar desenvolupant la seva tecnologia i garantir la protecció de la propietat intel·lectual.
El 8è Fòrum d’Inversió CAT SUD ha consolidat la reputació de Tarranix com a força pionera en innovació tecnològica profunda. Mentre Europa competeix per liderar la pròxima ona d'evolució dels semiconductors, la computació fotònica podria ser la clau per a desbloquejar una potència de processament sense precedents i reduir dràsticament el consum d'energia. Amb un gran interès per part dels inversors i un ambiciós full de ruta, Tarranix aspira a convertir-se en una pedra angular del futur tecnològic d'Europa, oferint una solució informàtica sostenible, eficient i escalable per a indústries de tot el món. Per a obtenir més informació sobre Tarranix i la seva revolucionària tecnologia de computació fotònica, visiti Tarranix.io.

Un pas significatiu cap als circuits lògics totalment òptics basats en la computació fotònica reversible.

Tarranix ha desenvolupat un acoblador de reixeta vertical de 6 µm per a interconnexions fotòniques 3D. Les simulacions amb Si/SiO₂ mostren un acoblament de llum eficient. S'està desenvolupant una versió amb Si₃N₄ per a millorar el rendiment.

Tarranix ha completat la primera fase de disseny d'un transistor de cristall fotònic (PhC) amb emissió fora del pla, adaptat a les capacitats de fabricació de la UPC.